当地时间3月21日，美国商务部发布了半导体政府补贴的具体领取规则。禁止领取补贴的企业与中国公司进行10万美元以上的交易等，严格限制在中国的业务。

  同时，美国商务部把中国、俄罗斯、伊朗和朝鲜指定为安全保障威胁国家。该规则还规定与威胁国的公司进行尖端半导体交易不能超过10万美元。也禁止在对方国家增加5％的工厂产能。

  还明确了补贴领取企业10年内禁止对中国进行有关投资的原则，并公布了具体的标准。美国商务部长吉娜·雷蒙多在声明中强调：“将扩大美国与同盟国在国家安全保障上的优势，保证今后几十年领先于敌对国”。

  围绕尖端半导体，美国还限制与中国企业组织合作研究及提供技术。本次公布的领取规则分别定义了一同研究是“2名以上研究人员实施”，提供技术是“提供专利、企业秘密及经验的行为”。如果违反规则必须全额退还补贴。

  面对新的限制，台积电、三星电子、英特尔等为了获得补贴而在美国建设工厂的企业对中国市场来投资将变得困难。

  3月22日，外交部发言人汪文斌主持例行记者会。有记者提问，据当地时间21日美国商务部发布的美国半导体法的具体规定，获得补贴的企业，今后10年在包括中国在内的部分国家进行扩大半导体产能等重大交易时，需将补贴全额退还。中方对此持何立场？

  汪文斌表示，具体的问题建议你向中方的主管部门来询问，在这里我也愿意再次阐述一下中方在有关问题上的原则立场。

  汪文斌指出，美方所谓“护栏”是彻头彻尾的科技封锁和保护主义行径，美国为维护自身的霸权，不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，甚至不惜牺牲盟友利益，胁迫一些国家围堵遏制中国，人为推动产业链“脱钩断链”，严重违反市场经济规律和公平竞争原则，严重阻碍世界经济复苏和发展。我们对此坚决反对，已多次向美方提出严正交涉。中方将继续坚定维护中国企业的正当合法权益。

  汪文斌强调，遏制打压阻挡不了中国发展的步伐，只会增强中国实现高水平科技自立自强的决心和能力。为维护一己霸权之私，绑架国际正常经贸合作，终将作茧自缚。我们大家都希望各方从自身长远利益和公平公正市场原则出发，恪守国际经贸规则，同中方共同维护全球产业链供应链稳定，维护各方共同利益。

  关键字：引用地址：禁止与中企超10万美元交易，违规需将美政府补贴全额退还

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  中国，2016年12月8 日 ——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出的13.5mm x 13.5mm SensorTile是当前同种类型的产品最小的功能完整的传感器模块，内置MEMS加速度计、陀螺仪、压力传感器和 MEMS麦克风，以及STM32L4低功耗微控制器，可为穿戴设备、游戏附件、智能家居设备或物联网硬件提供感知和互联控制功能。 SensorTile模块内置功能完整的Bluetooth® 低能耗蓝牙收发器，单片平衡不平衡转换器以及各种系统接口，可用作传感器数据整合控制器或固件的开发平台。用户将SensorTile插接到主

  推出微型多传感器模块 /

  4G牌照的发放为业界带来一片光明。发牌既标志着4G新时代的开篇，也是我国在3G时代技术积淀收获的“硕果”。几度浮沉的芯片厂商，或将在新的时间节点下完成新的“使命必达”。 迈向新制程 随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需逐步提升性能，TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进。 全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量，虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战，但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。大唐电信集团董事长真才基就对《中国电子报》记者表示，从芯片角度来看，4G终端芯片将聚集在28nm制程，中芯国际的28nm技术已成熟，能够与4G发展的要求相匹配。希望中国4G终端芯片能够较长

  “一代器件，一代工艺及一代设备”。目前半导体设备在芯片制造业中的地位已非同小可，毫不夸张地说台积电、三星及英特尔，它们的进步已离不开设备与材料业的支持。 据SEMI中国区总裁居龙在SEMICON Japan上发布的年终半导体设备预测报告数据显示，预计2020年半导体制造设备的全球销售额将比2019年的596亿美元增长16％，创下689亿美元的新纪录。预计全球半导体制造设备市场将继续增长，2021年将达到719亿美元，及2022年将达到761亿美元。 2020年全球半导体材料市场增长2.2%，达539亿美元，其中大陆市场增长9.2%，是全球唯二增长的市场。预计2021年半导体材料市场增长率为5%，总体规模再创历史上最新的记录，达565亿美元。

  ChatGPT等新兴AI产品对高性能存储芯片的需求与日俱增。据韩国经济日报报道，受惠于ChatGPT，三星、SK海力士高带宽内存（high bandwidth memory，HBM）接单量大增。 HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，它就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间将会缩短。这些堆叠的数颗DRAM芯片通过称为“中介层（Interposer）”的超快速互联方式连接至CPU或GPU，最后可将组装好的模块连接至电路板。 HBM的架构 图源：AMD HBM重新调整了内存的功耗效率，能大幅度提高数据处理速度，是当下速度最快的DRAM产品，其每瓦带宽比GDDR5高出3倍还多，且HBM比

  国际金融危机重创半导体业。今年第一季度企业产能利用率普遍在50%以下。进入第二季度后，我们正真看到部分企业业务止跌回升。近日，企业第三季度财务报表纷纷出笼，产业好转趋势进一步明朗化。但由于企业上升动力不足，产业出现“V型”反弹的可能性不是很大，应该会在振荡中上升。与此同时，今年半导体业销售额同比下降约15%的状况已确定无疑。业内目前关注明年产业上升的幅度。 多数IDM企业仍处于亏损之中 全球IDM(集成器件制造商)仍在复苏之中。其中，英特尔运营表现不错，第三季度赢利已回升到18.56亿美元，接近去年同期的20.14亿美元。英特尔的良好表现得益于全球PC市场的快速复苏。另一家让人们感兴趣的公司是恩智浦。今年上任的总裁 R

  业拐点 /

  tm32f103zet6芯片 简介 最高72MHz工作频率 –内嵌经出厂的8MHz的RC振荡器 –串行单线调试（SWD)和JTAG接口 –多达8个定时器 –3个16位定时器，每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入 –2个看门狗定时器（独立的和窗口型的）：防止程序跑飞，单片机自动复位 –系统时间定时器：一种简单的，24位写清零、递减、自装载同时具有可灵活控制机制的计数器。 –2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)：一种简单、双向二线个USART接口（支持ISO7816接口，LIN，IrDA接口和调制解调控制）：通用同步/异步串行接收/发送器USART是

  及其单片机（硬件）的总结 /

  申报奖项丨最具成长价值奖 申请产品丨车规级芯片WSTE21D 产品描述： WSTE21D是一款 32 位高性能高安全的车规级芯片；采用国产化 32 位CPU；包含 320KB NorFlash 和 40KB SRAM 的系统内存 ；主要应用领域智能驾驶、汽车电子、车联网等领域。 WSTE21D是硬件固化多种国密算法和国际密钥算法，可以抵御多种侧信道攻击，可支持高低频检测（FD）、高低压检测（VD）、高低温检测（TD）、光检测（LD）的功能。WSTE21D支持多种通信接口，USB高速、SPI、I2C、UART、GPIO、PWM等。 WSTE21D作为安全芯片，内部集成有多种安全加密算法（对称/非对称/哈希算法）

  大赛 /

  中国北京—2007年4月26日 —全球电源管理解决方案领先供应商安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布荣获天宇朗通“2007年优秀供应商”奖。天宇朗通是中国领先的手机制造商。 该奖表彰安森美半导体出色的电源管理产品和解决方案，及其在协助天宇朗通增长业务成为手机销量五强所提供的强有力支持。该奖项也证明了终端用户对安森美半导体电源管理解决方案的认可度和接受度。 天宇朗通仅将“优秀供应商”奖授予从200家供应商中挑出的12家合作伙伴，安森美半导体是唯一获得该奖项的模拟及分立器件供应商。 安森美半导体亚太区销售副总裁说：“我们很荣幸能够从中国的顶尖手机制造商获得这一奖项。天宇朗通

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